金属电容结构及其制造方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明公开了一种金属电容结构及其制造方法，利用集成电路上原有的栅极结构作为金属电容下极板，嵌入一层高温氧化硅介质层作为金属电容介质，嵌入另一层金属作为金属电容上极板，经过一次光刻和选择性等离子刻蚀而实现，采用覆盖层氧化层作为上极板掩蔽层，并在侧向隔离化学气相沉积氧化膜成长前采用氮气高温处理。本发明公开的制造方法可防止钨硅黑化。
基本信息
专利标题 ：
金属电容结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1964051A
申请号 ：
CN200510110232.3
公开（公告）日 ：
2007-05-16
申请日 ：
2005-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
潘志宣陈菊英
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510110232.3
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L27/102 H01L27/10 H01L27/00 H01L21/8242 H01L21/8222 H01L21/82 H01L21/02 H01L21/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2014-02-05 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101689528647
IPC(主分类) : H01L 27/108
专利号 : ZL2005101102323
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20140108
号牌文件序号 : 101689528647
IPC(主分类) : H01L 27/108
专利号 : ZL2005101102323
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20140108
2009-08-05 ：
授权
2007-07-11 ：
实质审查的生效
2007-05-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1964051A.PDF
PDF下载
2、
CN100524772C.PDF
PDF下载
