金字塔形的电容结构及其制造方法
授权
摘要
本发明是有关于一种电容结构，具有一般为金字塔形或阶梯形的轮廓，以预防或减少介电层的崩溃。此电容结构包括一第一导电层、至少一介电层位于第一导电层上以及一第二导电层位于介电层上。介电层具有一第一面积。第二导电层具有一第二面积，第二面积小于介电层的第一面积。本发明还揭示一种制作电容结构的方法，可抵抗介电层的边缘崩溃。
基本信息
专利标题 ：
金字塔形的电容结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1841733A
申请号 ：
CN200610056990.6
公开（公告）日 ：
2006-10-04
申请日 ：
2006-03-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄坤铭汪业杰陈盈德朱翁驹陈富信吴子扬
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路8号
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200610056990.6
主分类号 ：
H01L27/00
IPC分类号 ：
H01L27/00 H01L27/02 H01L27/06 H01L27/102 H01L27/108 H01L29/92 H01L21/00 H01L21/02 H01L21/82 H01L21/8222 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
法律状态
2008-05-28 ：
授权
2006-12-06 ：
实质审查的生效
2006-10-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
