金属－绝缘体－金属电容结构及其制造方法

专利权的终止

摘要

一种金属－绝缘体－金属电容结构，是至少由上电极、下电极以及绝缘层所构成，其中绝缘层位于上电极与下电极之间。而这种金属－绝缘体－金属电容结构的特征在于下电极包括一层导体层以及金属氮化物多层结构。金属氮化物多层结构是位于导体层与绝缘层之间，且其氮含量逐渐向绝缘层的方向增加并为非结晶(amorphous)形态。由于金属氮化物多层结构的关系，可避免绝缘层形成结晶，以减少漏电流的损失。

基本信息

专利标题：

金属－绝缘体－金属电容结构及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1992277A

申请号：

CN200510137452.5

公开（公告）日：

2007-07-04

申请日：

2005-12-30

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

王庆钧李隆盛林哲歆罗文妙

申请人：

财团法人工业技术研究院

申请人地址：

台湾省新竹县竹东镇中兴路四段195号

代理机构：

北京连和连知识产权代理有限公司

代理人：

王永红

优先权：

CN200510137452.5

主分类号：

H01L27/108

IPC分类号：

H01L27/108 H01L27/102 H01L27/10 H01L27/00 H01L29/92 H01L21/8242 H01L21/8222 H01L21/82 H01L21/02 H01L21/00