深亚微米级堆叠并联金属/绝缘体/金属结构电容器

专利权的终止

摘要

一种深亚微米级堆叠并联MiM结构电容器，其具有多层堆叠的MiM结构，有多个金属或多晶硅层作为布线层，构成下极板，其上方有导电层构成上极板，各个上极板图案由同一块MMC掩模定义，上、下两个平行电极板之间有绝缘电介质，构成单个固定电容器，金属层间的导通孔分别从上、下极板引出连接作为MiM结构电容器的两个节点，各布线层之间的单个固定电容器通过布线构成堆叠并联结构电容器。本实用新型的电容器在同样的布图面积下，电容显著增大，并且不需要额外的掩膜，从而达到节省布局面积的目的。

基本信息

专利标题：

深亚微米级堆叠并联金属/绝缘体/金属结构电容器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200620121192.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2006-07-25

授权号：

CN200950440Y

授权日：

2007-09-19

发明人：

夏洪旭王政烈

申请人：

和舰科技(苏州)有限公司

申请人地址：

215021江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号

代理机构：

北京连和连知识产权代理有限公司

代理人：

薛平

优先权：

CN200620121192.2

主分类号：

H01L27/00

IPC分类号：

H01L27/00 H01L27/02