一种深亚微米级金属－绝缘体－金属结构电容器
专利权的终止
摘要
一种深亚微米级金属－绝缘体－金属结构电容器，在其下方有导通孔条，下电板金属层、绝缘体层和上电板金属层向下凹成三维的金属－绝缘体－金属结构。与传统的二维金属－绝缘体－金属结构电容器相比，本实用新型的三维金属－绝缘体－金属结构电容器增加了电容的有效面积，进而增大了电容。
基本信息
专利标题 ：
一种深亚微米级金属－绝缘体－金属结构电容器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620120149.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-06-20
授权号 ：
CN200959335Y
授权日 ：
2007-10-10
发明人 ：
王政烈陈威志陈立轩
申请人 ：
和舰科技(苏州)有限公司
申请人地址 ：
215000江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号
代理机构 ：
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛平
优先权 ：
CN200620120149.4
主分类号 ：
H01L27/00
IPC分类号 ：
H01L27/00 H01L27/06 H01L27/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
法律状态
2010-09-22 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101005909338
IPC(主分类) : H01L 27/00
专利号 : ZL2006201201494
申请日 : 20060620
授权公告日 : 20071010
号牌文件序号 : 101005909338
IPC(主分类) : H01L 27/00
专利号 : ZL2006201201494
申请日 : 20060620
授权公告日 : 20071010
2007-10-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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