包括金属－绝缘体－金属电容器排列的半导体器件
专利权的终止
摘要
一种半导体器件具有半导体衬底、在半导体衬底上形成的多层布线结构、和在多层布线结构中建立的金属－绝缘体－金属(MIM)电容器排列。MIM电容器排列包括以规则间隔相互平行依次排列的第一、第二、第三、第四、第五和第六电极结构。第一、第二、第五和第六电极结构相互电连接从而定义第一电容器，第三和第四电极结构相互电连接从而定义第二电容器。
基本信息
专利标题 ：
包括金属－绝缘体－金属电容器排列的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1779967A
申请号 ：
CN200510116170.7
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-10-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
富留宫正之菊田邦子山本良太中山诚
申请人 ：
恩益禧电子股份有限公司
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
穆德骏
优先权 ：
CN200510116170.7
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L27/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2014-12-17 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101591755839
IPC(主分类) : H01L 23/522
专利号 : ZL2005101161707
申请日 : 20051024
授权公告日 : 20080917
终止日期 : 20131024
号牌文件序号 : 101591755839
IPC(主分类) : H01L 23/522
专利号 : ZL2005101161707
申请日 : 20051024
授权公告日 : 20080917
终止日期 : 20131024
2010-12-22 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101056196828
IPC(主分类) : H01L 23/522
专利号 : ZL2005101161707
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本神奈川
号牌文件序号 : 101056196828
IPC(主分类) : H01L 23/522
专利号 : ZL2005101161707
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本神奈川
2008-09-17 ：
授权
2006-07-26 ：
实质审查的生效
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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