半导体器件
公开
摘要
本发明涉及一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，具有第一区域和第二区域；器件层，形成在第一区域上；以及虚拟结构，形成在第二区域上，其中虚拟结构包括相互嵌套的第一螺旋形虚拟层和第二螺旋形虚拟层。以此方式，形成在半导体器件上的虚拟结构不但可以用来使芯片版图密度均匀化，而且还可以用作存储电容器。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582832A
申请号 ：
CN202210207403.8
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
苏万锡李海旭
申请人 ：
东芯半导体股份有限公司
申请人地址 ：
上海市青浦区徐泾镇诸光路1588弄虹桥世界中心L4A-F5
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
汪骏飞
优先权 ：
CN202210207403.8
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L23/64
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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