CMOS图像传感器的局部互连结构及其形成方法

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摘要

本发明提供了一种CMOS图像传感器的局部互连结构及其形成方法，其采用自定位硅化物处理工艺而形成与常规的CMOS图像传感器处理流程一致的CMOS图像传感器局部互连结构。其中，在该图像传感器的像素阵列上沉积氧化物层；去除部分氧化物层并沉积金属层；对金属层进行退火处理，形成金属硅化物。同时，还可进一步沉积保护绝缘层。

基本信息

专利标题：

CMOS图像传感器的局部互连结构及其形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1787223A

申请号：

CN200510130905.1

公开（公告）日：

2006-06-14

申请日：

2005-12-08

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

霍华德·E·罗德斯

申请人：

豪威科技有限公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

广州三环专利代理有限公司

代理人：

戴建波

优先权：

CN200510130905.1

主分类号：

H01L27/146

IPC分类号：

H01L27/146 H01L23/522 H01L21/822 H01L21/768