CMOS图像传感器及其形成方法
实质审查的生效
摘要
一种CMOS图像传感器及其形成方法，其中方法包括：形成衬底和若干感光掺杂层，所述衬底包括若干相互分立的像素区，所述感光掺杂层分别位于各所述像素区上；在各所述感光掺杂层上形成开关器件，所述开关器件以堆叠的方式形成在感光掺杂层上，减少了像素区占据的面积，提高了像素密度，不需要平衡感光区和读取电路的尺寸，有利于获得更好的感光特性和开关性能。
基本信息
专利标题 ：
CMOS图像传感器及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335044A
申请号 ：
CN202210125867.4
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-02-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘俊文
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐文欣
优先权 ：
CN202210125867.4
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20220210
申请日 : 20220210
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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