CMOS图像传感器的局部互连结构及其形成方法
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本发明提供了一种CMOS图像传感器的局部互连结构及其形成方法，其采用自定位硅化物处理工艺而形成与常规的CMOS图像传感器处理流程一致的CMOS图像传感器局部互连结构。其中，在该图像传感器的像素阵列上沉积氧化物层；去除部分氧化物层并沉积金属层；对金属层进行退火处理，形成金属硅化物。同时，还可进一步沉积保护绝缘层。
基本信息
专利标题 ：
CMOS图像传感器的局部互连结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101777512A
申请号 ：
CN201010104918.2
公开（公告）日 ：
2010-07-14
申请日 ：
2005-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
霍华德·E·罗德斯
申请人 ：
豪威科技有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州桑尼维尔市
代理机构 ：
广州三环专利代理有限公司
代理人 ：
戴建波
优先权 ：
CN201010104918.2
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L27/146 H01L23/528
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2017-10-20 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/768
变更事项 : 专利权人
变更前 : 豪威科技有限公司
变更后 : 豪威科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国加利福尼亚州桑尼维尔市
变更后 : 美国加利福尼亚州桑尼维尔市
变更事项 : 专利权人
变更前 : 豪威科技有限公司
变更后 : 豪威科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国加利福尼亚州桑尼维尔市
变更后 : 美国加利福尼亚州桑尼维尔市
2013-10-30 ：
授权
2010-09-15 ：
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101005739058
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利申请号 : 2010101049182
申请日 : 20051208
号牌文件序号 : 101005739058
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利申请号 : 2010101049182
申请日 : 20051208
2010-07-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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