图像传感器、集成电路及形成图像传感器的方法
授权
摘要
本发明提供一种图像传感器、集成电路及形成图像传感器的方法。所述图像传感器包括第一图像传感器元件被配置成从处于第一波长范围内的电磁辐射产生电信号。第二图像传感器元件位于第一图像传感器元件之上且被配置成从处于第二波长范围内的电磁辐射产生电信号，第二波长范围不同于第一波长范围。第一图像传感器元件及第二图像传感器元件处于衬底内。第一图像传感器元件包括锗层，锗层位于衬底的底表面与第二图像传感器元件之间。第二图像传感器元件包含硅。
基本信息
专利标题 ：
图像传感器、集成电路及形成图像传感器的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110970451A
申请号 ：
CN201910284807.5
公开（公告）日 ：
2020-04-07
申请日 ：
2019-04-10
授权号 ：
CN110970451B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
施俊吉
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
康艳青
优先权 ：
CN201910284807.5
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2020-05-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20190410
申请日 : 20190410
2020-04-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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