半导体器件

授权

摘要

本实用新型公开了一种半导体器件，包括：下金属层，所述下金属层包括第一区域和第二区域；位于所述下金属层的第一区域和第二区域上表面的层间介质层；从所述层间介质层上表面延伸至所述下金属层的通孔，所述通孔裸露所述下金属层的上表面；覆盖所述通孔的底部，侧壁以及所述层间介质层的上表面第一导电层；覆盖所述下金属层的第一区域上的所述第一导电层的介电层；填充所述通孔的第一金属；以及位于所述层间介质层的上表面上的上金属层，其中，在所述下金属层的第一区域上，所述上金属层与所述第一金属和所述介电层接触。本实用新型提供的半导体器件在不增加复杂程度的情况下，提高了电容的密度。

基本信息

专利标题：

半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021038383.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-08

授权号：

CN212676255U

授权日：

2021-03-09

发明人：

吕政宋洵奕王猛

申请人：

矽力杰半导体技术（杭州）有限公司

申请人地址：

浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号

代理机构：

代理人：

优先权：

CN202021038383.9

主分类号：

H01L23/522

IPC分类号：

H01L23/522 H01L23/528 H01L21/768