半导体器件
公开
摘要
可以提供一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，包括在第一方向上延伸的划分区域；在衬底上的第一和第二有源图案，并且划分区域插设在其间，第一和第二有源图案在垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔开；栅电极，在第一方向上延伸并与第一和第二有源图案交叉；在第一有源图案上的第一沟道图案；以及在第二有源图案上的第二沟道图案。在第一方向上，第一有源图案的最小宽度可以小于第二有源图案的最小宽度。第一沟道图案的与划分区域相邻的端部可以包括在第一方向上延伸的突出部分，并且该突出部分在平面图中可以具有三角形形状。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551387A
申请号 ：
CN202111331262.2
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宋昇珉权兑勇马在亨李南玹
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
屈玉华
优先权 ：
CN202111331262.2
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L23/50 H01L23/522 H01L23/528
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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