一种半导体器件及其制作方法

授权

摘要

本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，本申请公开的半导体器件包括半导体基板、图案化的第一金属层和多个第二金属凸块，其中，半导体基板的每个导电焊盘上方设置有第一金属层，且至少两个相邻导电焊盘之间跨接有第一金属层，第二金属凸块设置于第一金属层上且与导电焊盘一一对应。本申请通过将第一金属层跨接在至少两个相邻导电焊盘之间，实现至少两个相邻第二金属凸块之间的互连，进而能够根据半导体器件的再布线需求设计第一金属层跨接导电焊盘的方式，实现第二金属凸块之间的对应于再布线需求的互连方式，从而在图案化的第一金属层的制作工艺中实现半导体器件的再布线需求，不需要引入额外的再布线制程，工艺简单，成本较低。

基本信息

专利标题：

一种半导体器件及其制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111640731A

申请号：

CN202010486457.3

公开（公告）日：

2020-09-08

申请日：

2020-06-01

授权号：

CN111640731B

授权日：

2022-04-01

发明人：

陈运生

申请人：

厦门通富微电子有限公司

申请人地址：

福建省厦门市中国（福建）自由贸易试验区厦门片区建港路29号海沧国际物流大厦10楼1001单元F0193

代理机构：

深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

黎坚怡

优先权：

CN202010486457.3

主分类号：

H01L23/498

IPC分类号：

H01L23/498 H01L23/488 H01L21/60