金属－绝缘－金属结构的电容器、半导体装置及制造方法
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摘要
本发明是关于一种金属－绝缘－金属结构的电容器、半导体装置及制造方法，所述一种金属－绝缘－金属结构的电容器，包括：一顶金属板与一底金属板，其间设置有一绝缘物，其中该顶金属板大体重叠该绝缘物，而该底金属板具有未为该顶金属板与该绝缘物所覆盖的一露出部；一抗反射涂层位于该顶金属板上、该顶金属板与该绝缘物的侧壁上以及该底金属板的露出部上；以及一介电层分隔该抗反射层与该顶金属层，该绝缘物与该底金属板。本发明位于抗反射涂层下方的介电层有效地阻绝了位于顶金属板与底金属板间的漏电流路径，并阻绝了位于金属－绝缘－金属电容器与集成电路内的其他元件间的漏电流路径。因此，其击穿电压可因而增加。
基本信息
专利标题 ：
金属－绝缘－金属结构的电容器、半导体装置及制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1925154A
申请号 ：
CN200610000914.3
公开（公告）日 ：
2007-03-07
申请日 ：
2006-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梁耀祥
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610000914.3
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L27/06 H01L27/08 H01L21/02 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2008-10-22 ：
授权
2007-05-02 ：
实质审查的生效
2007-03-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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