采用突变金属－绝缘体转变层的装置及其制造方法

专利权的终止

摘要

突变金属－绝缘体转变装置包括：突变金属－绝缘体转变材料层，包括小于或等于2eV的能隙和在一定空穴水平之内的空穴；和两个电极，接触突变金属－绝缘体转变材料层。在此，两个电极中的每一个都通过热处理一叠层来形成，该叠层的第一层形成在突变金属－绝缘体转变材料层上，并且包括Ni或Cr，第二层形成在第一层上，并且包括In，第三层形成在第二层上，并且包括Mo或W，而第四层形成在第三层上，并且包括Au。

基本信息

专利标题：

采用突变金属－绝缘体转变层的装置及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101073156A

申请号：

CN200580042261.9

公开（公告）日：

2007-11-14

申请日：

2005-12-05

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

尹斗协金铉卓蔡秉圭孟成烈姜光镛

申请人：

韩国电子通信研究院

申请人地址：

韩国大田市

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200580042261.9

主分类号：

H01L29/772

IPC分类号：

H01L29/772