半导体器件及其制造方法

专利权的终止

摘要

一种半导体器件的制造方法，该半导体器件具有：形成有有源元件的半导体衬底，以覆盖上述有源元件的方式形成在上述半导体衬底上的防氧化膜，形成在上述防氧化膜上，并具有依次层叠下部电极、铁电膜以及上部电极的结构的铁电电容器，以覆盖上述铁电电容器的方式形成在上述防氧化膜上的层间绝缘膜；上述半导体器件的制造方法包括：在上述层间绝缘膜中，形成分别使上述上部电极以及下部电极露出的第一以及第二接触孔的工序；在上述层间绝缘膜中，形成使上述防氧化膜露出的开口部的工序；在上述层间绝缘膜中形成有上述第一以及第二接触孔和上述开口部的状态下，在氧化环境中对上述层间绝缘膜进行热处理的工序。

基本信息

专利标题：

半导体器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101313401A

申请号：

CN200580052132.8

公开（公告）日：

2008-11-26

申请日：

2005-11-25

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

佐次田直也

申请人：

富士通株式会社

申请人地址：

日本神奈川县

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

张龙哺

优先权：

CN200580052132.8

主分类号：

H01L21/8246

IPC分类号：

H01L21/8246 H01L27/105

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/77

在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理

H01L21/78

把衬底连续地分成多个独立的器件

H01L21/82

制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路

H01L21/822

衬底是采用硅工艺的半导体的

H01L21/8232

场效应工艺

H01L21/8234

MIS工艺

H01L21/8239

存储器结构

H01L21/8246

只读存储器结构

法律状态

2021-11-05 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/8246
申请日 : 20051125
授权公告日 : 20120509
终止日期 : 20201125

2012-05-09 ：

授权

2009-01-21 ：

实质审查的生效

2008-12-24 ：

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 富士通株式会社
变更后权利人 : 富士通微电子株式会社
变更前 : 日本神奈川县
变更后 : 日本东京都
登记生效日 : 20081107
变更事项 : 地址

2008-11-26 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载