半导体器件及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在半导体衬底(1)的上方，形成了铁电电容器之后，形成布线(24a)。形成将布线(24a)覆盖的阻挡膜(25)。形成氧化硅膜(26)，该氧化硅膜(26)填埋相邻布线(24a)之间的间隙。通过CMP法研磨氧化硅膜(26)，直到阻挡膜(25)的表面露出为止。在阻挡膜(25)及氧化硅膜(26)上形成阻挡膜(27)。形成作为阻挡膜(25、27)的氧化铝膜。

基本信息

专利标题：

半导体器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101351880A

申请号：

CN200580052447.2

公开（公告）日：

2009-01-21

申请日：

2005-12-28

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

菅原弘纪永井孝一

申请人：

富士通株式会社

申请人地址：

日本神奈川县

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

张龙哺

优先权：

CN200580052447.2

主分类号：

H01L21/8246

IPC分类号：

H01L21/8246 H01L21/768 H01L23/522 H01L27/105

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/77

在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理

H01L21/78

把衬底连续地分成多个独立的器件

H01L21/82

制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路

H01L21/822

衬底是采用硅工艺的半导体的

H01L21/8232

场效应工艺

H01L21/8234

MIS工艺

H01L21/8239

存储器结构

H01L21/8246

只读存储器结构

法律状态

2020-12-11 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/8246
申请日 : 20051228
授权公告日 : 20120516
终止日期 : 20191228

2012-05-16 ：

授权

2009-03-11 ：

实质审查的生效

2009-01-21 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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