非挥发性存储器及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种非挥发性存储器，其至少是由基底、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第一栅极结构、第二栅极结构、第一浅掺杂区与第二浅掺杂区所构成。第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区是设置于基底中，且第二掺杂区是位于第一掺杂区与该第三掺杂区之间。第一栅极结构设置于第一掺杂区与第二掺杂区间的基底上，第二栅极结构则设置于第二掺杂区与第三掺杂区间的基底上。第一浅掺杂区是位于第一栅极结构下方邻接第一掺杂区的基底中，第二浅掺杂区是位于第二栅极结构下方邻接第三掺杂区的基底中。
基本信息
专利标题 ：
非挥发性存储器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101005075A
申请号 ：
CN200610005873.7
公开（公告）日 ：
2007-07-25
申请日 ：
2006-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘志拯
申请人 ：
力晶半导体股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610005873.7
主分类号 ：
H01L27/112
IPC分类号 ：
H01L27/112 H01L21/8246
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
法律状态
2009-09-23 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-09-19 ：
实质审查的生效
2007-07-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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