非挥发性存储器及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种非挥发性存储器的制造方法。首先提供已形成有多个隔离结构的基底，这些隔离结构突出于基底表面，且隔离结构之间的基底上已形成有第一掩模层。接着于基底上形成一层第二掩模层。之后图案化第二掩模层与第一掩模层，形成多个开口，开口暴露出部分基底表面与隔离结构表面。继而于基底上形成穿隧介电层与第一导体层。第一导体层填入开口，且使隔离结构、第二掩模层与第一掩模层将第一导体层分隔成区块状。然后于基底上形成一栅间介电层。再于基底上形成第二导体层，填满开口。之后于第二导体层两侧的基底中形成多个掺杂区。
基本信息
专利标题 ：
非挥发性存储器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979864A
申请号 ：
CN200510129747.8
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-12-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张格荥
申请人 ：
力晶半导体股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510129747.8
主分类号 ：
H01L27/105
IPC分类号 ：
H01L27/105 H01L29/788 H01L21/8239 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
法律状态
2012-02-15 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101183709653
IPC(主分类) : H01L 27/105
专利号 : ZL2005101297478
申请日 : 20051206
授权公告日 : 20081224
终止日期 : 20101206
号牌文件序号 : 101183709653
IPC(主分类) : H01L 27/105
专利号 : ZL2005101297478
申请日 : 20051206
授权公告日 : 20081224
终止日期 : 20101206
2008-12-24 ：
授权
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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