非挥发性存储器的制造方法
专利权的视为放弃
摘要
一种非挥发性存储器的制造方法，首先，提供一基底，此基底具有一存储单元区与一周边电路区。接着，于基底中形成多个元件隔离结构。然后，于存储单元区的基底上形成一层穿隧介电层，且于周边电路区的基底上形成一层栅氧化层。然后，于基底上形成一层第一导体层，覆盖存储单元区与周边电路区。接下来，将存储单元区的第一导体层图案化。再来，于基底上形成复合介电层。然后，移除周边电路区的复合介电层。之后，再于基底上形成一层第二导体层，覆盖存储单元区与周边电路区。
基本信息
专利标题 ：
非挥发性存储器的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101005047A
申请号 ：
CN200610005886.4
公开（公告）日 ：
2007-07-25
申请日 ：
2006-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王进忠赖佳平洪哲怀
申请人 ：
力晶半导体股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610005886.4
主分类号 ：
H01L21/8239
IPC分类号 ：
H01L21/8239
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
法律状态
2010-01-27 ：
专利权的视为放弃
2007-09-19 ：
实质审查的生效
2007-07-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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