非挥发性存储器及其制造方法与操作方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种非挥发性存储器具有存储单元与第一位线与第二位线。此存储单元包括第一掺杂区、第二掺杂区、第一存储单元、第一选择栅极结构与第二存储单元。第一掺杂区与第二掺杂区设置于基底中。第一存储单元、第一选择栅极结构与第二存储单元连接设置于第一掺杂区与第二掺杂区之间的基底上。第一存储单元与第一掺杂区相邻，且第二存储单元与第二掺杂区相邻。第一位线与第二位线平行设置于基底上，其中第一掺杂区电连接至第一位线，第二掺杂区电连接至第二位线。
基本信息
专利标题 ：
非挥发性存储器及其制造方法与操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1941378A
申请号 ：
CN200510107018.2
公开（公告）日 ：
2007-04-04
申请日 ：
2005-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨青松翁伟哲
申请人 ：
力晶半导体股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510107018.2
主分类号 ：
H01L27/105
IPC分类号 ：
H01L27/105 H01L27/115 H01L21/8239 H01L21/8247
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
法律状态
2010-07-14 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101003235981
IPC(主分类) : H01L 27/105
专利申请号 : 2005101070182
公开日 : 20070404
号牌文件序号 : 101003235981
IPC(主分类) : H01L 27/105
专利申请号 : 2005101070182
公开日 : 20070404
2007-06-06 ：
实质审查的生效
2007-04-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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