非挥发性存储器及其制造方法与操作方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种非挥发性存储器单元，其包括基底、导体层、电荷储存层、第一掺杂区、二个第二掺杂区、第一导线及第二导线。基底中具有沟槽，而导体层配置于基底中并填满沟槽。电荷储存层配置于导体层与基底之间。第一掺杂区，配置于沟槽下方的基底中，而二个第二掺杂区分别配置于沟槽两侧的基底中。第一导线及第二导线，配置于基底上，分别电连接于二个第二掺杂区，且第一导线与第二导线为平行排列。
基本信息
专利标题 ：
非挥发性存储器及其制造方法与操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979865A
申请号 ：
CN200510129766.0
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-12-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李永忠陈世宪黄汉屏
申请人 ：
力晶半导体股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510129766.0
主分类号 ：
H01L27/105
IPC分类号 ：
H01L27/105 H01L27/115 H01L21/8239 H01L21/8247
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
法律状态
2010-07-21 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101003368107
IPC(主分类) : H01L 27/105
专利申请号 : 2005101297660
公开日 : 20070613
号牌文件序号 : 101003368107
IPC(主分类) : H01L 27/105
专利申请号 : 2005101297660
公开日 : 20070613
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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