非挥发性存储器及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种非挥发性存储器，其由基底、多个隔离层、多个有源层、多个浮置栅极、多个控制栅极与多个掺杂区所构成。有源层设置于基底中，位于隔离层之间，有源层的顶面高于隔离层的顶面，且有源层与隔离层互相平行排列，往第一方向延伸。控制栅极设置于基底上，这些控制栅极平行排列，且往第二方向延伸，第二方向与第一方向交错。浮置栅极分别设置于各有源层与控制栅极之间。掺杂区设置于控制栅极之间的有源层中。
基本信息
专利标题 ：
非挥发性存储器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979863A
申请号 ：
CN200510129745.9
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-12-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨立民王炳尧
申请人 ：
力晶半导体股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510129745.9
主分类号 ：
H01L27/105
IPC分类号 ：
H01L27/105 H01L21/8239
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
法律状态
2012-02-15 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101183909910
IPC(主分类) : H01L 27/105
专利号 : ZL2005101297459
申请日 : 20051206
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20101206
号牌文件序号 : 101183909910
IPC(主分类) : H01L 27/105
专利号 : ZL2005101297459
申请日 : 20051206
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20101206
2009-03-11 ：
授权
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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