非挥发性存储器及其制造方法与操作方法
专利权的终止
摘要
一种非挥发性存储器,是由基底、选择栅极、掺杂区、控制栅极与浮置栅极所构成的。基底中具有一沟槽。选择栅极设置于沟槽中,且选择栅极的表面低于基底表面。掺杂区设置于沟槽下方的基底中。控制栅极设置于选择栅极上。浮置栅极设置于选择栅极与控制栅极之间,且位于沟槽顶端两侧的边角处。
基本信息
专利标题 :
非挥发性存储器及其制造方法与操作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101005077A
申请号 :
CN200610005893.4
公开(公告)日 :
2007-07-25
申请日 :
2006-01-19
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王炳尧杨立民
申请人 :
力晶半导体股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾新竹市
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
陶凤波
优先权 :
CN200610005893.4
主分类号 :
H01L27/115
IPC分类号 :
H01L27/115 H01L21/8247
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器;其多步骤制造方法
法律状态
2011-03-30 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101060687904
IPC(主分类) : H01L 27/115
专利号 : ZL2006100058934
申请日 : 20060119
授权公告日 : 20090408
终止日期 : 20100219
号牌文件序号 : 101060687904
IPC(主分类) : H01L 27/115
专利号 : ZL2006100058934
申请日 : 20060119
授权公告日 : 20090408
终止日期 : 20100219
2009-04-08 :
授权
2007-09-19 :
实质审查的生效
2007-07-25 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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