非挥发性存储器的抹除方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种非挥发性存储器的抹除方法，此方法包括：(a)于各个存储单元列中的奇数编号的选择栅极上施加第一电压，偶数编号的选择栅极上施加第二电压，且第一电压与第二电压的电压差可使注入存储单元的浮置栅极的电子，经由选择栅极而移除。(b)进行一切换动作，使第一电压与第二电压以分别施加于各存储单元列中的偶数编号的选择栅极上以及奇数编号的选择栅极上，并使注入这些存储单元的浮置栅极的电子，经由选择栅极拉出而使存储单元成为抹除状态。
基本信息
专利标题 ：
非挥发性存储器的抹除方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101005076A
申请号 ：
CN200610005874.1
公开（公告）日 ：
2007-07-25
申请日 ：
2006-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王国栋潘燕立朱国豪许正源
申请人 ：
力晶半导体股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610005874.1
主分类号 ：
H01L27/115
IPC分类号 ：
H01L27/115 G11C16/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
法律状态
2009-08-26 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-09-19 ：
实质审查的生效
2007-07-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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