单层多晶硅电子抹除式可复写只读存储器
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种单层多晶硅电子抹除式可复写只读存储器，包含有一源极、一漏极、一介电层以及一电极层。源极以及漏极位于一基底中，其中源极以及漏极具有一第一导电型。介电层设置于基底上且位于源极以及漏极之间，其中介电层包含第一介电层，第一介电层具有分隔的两个穿隧介电部分，且两个穿隧介电部分的厚度薄于第一介电层的其他部分的厚度。电极层设置于介电层上，其中电极层包含一第一电极设置于第一介电层上，因而第一电极为一浮置栅极。
基本信息
专利标题 ：
单层多晶硅电子抹除式可复写只读存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551452A
申请号 ：
CN202210113253.4
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2016-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李志浩陈自平
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
王锐
优先权 ：
CN202210113253.4
主分类号 ：
H01L27/11517
IPC分类号 ：
H01L27/11517 H01L27/11521
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11517
申请日 : 20161021
申请日 : 20161021
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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