可编程可抹除的非易失性存储器
授权
摘要
一种可编程可抹除的非易失性存储器，包括存储单元阵列与感测电路。存储单元阵列中包括通用存储单元与参考存储单元皆连接至字线。该感测电路包括电流比较器。该通用存储单元的编程效率与抹除效率大于该参考存储单元的该编程效率与该抹除效率。于读取动作且该字线动作时，该通用存储单元产生读取电流至该电流比较器，该参考存储单元产生参考电流至该电流比较器。该电流比较器根据该参考电流以及该读取电流来输出数据信号用以指出该通用存储单元的储存状态。
基本信息
专利标题 ：
可编程可抹除的非易失性存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111696607A
申请号 ：
CN202010081712.6
公开（公告）日 ：
2020-09-22
申请日 ：
2020-02-06
授权号 ：
CN111696607B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
孙文堂陈学威黎俊霄陈纬仁廖弘毅
申请人 ：
力旺电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李芳华
优先权 ：
CN202010081712.6
主分类号 ：
G11C16/04
IPC分类号 ：
G11C16/04 G11C16/14 G11C16/26 H01L27/11517 H01L27/11521
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2020-10-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/04
申请日 : 20200206
申请日 : 20200206
2020-09-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
