适于单层多晶硅CMOS工艺的LCOS像素单元结构

专利权的终止

摘要

本实用新型涉及一种硅基液晶显示器像素单元器件结构领域。适于单层多晶硅CMOS工艺的LCOS像素单元器件结构，其特征在于，包括一个N型沟道金属氧化物半导体(NMOS)管和一个p⁺型掺杂层－绝缘层－多晶硅(p⁺－i－P)电容器；所述的NMOS管和p⁺－i－P电容器置于P型硅衬底上，P型硅衬底之上覆盖第1层绝缘层，第2层绝缘层设置在第1层绝缘层之上，第3层绝缘层设置在第2层绝缘层之上，像素电极设置在第3层绝缘层之上。本实用新型可以实现采用低成本的单层多晶硅CMOS半导体工艺制备LCOS芯片，还能够消除常规MOS电容器存在的阈值干扰现象。

基本信息

专利标题：

适于单层多晶硅CMOS工艺的LCOS像素单元结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820074772.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-05-16

授权号：

CN201196721Y

授权日：

2009-02-18

发明人：

范义代永平范伟

申请人：

天津力伟创科技有限公司

申请人地址：

300384天津市华苑产业园区华天道2号火炬大厦5031室

代理机构：

天津市杰盈专利代理有限公司

代理人：

赵庆

优先权：

CN200820074772.X

主分类号：

G02F1/136

IPC分类号：

G02F1/136 G02F1/1362 H01L27/105

IPC结构图谱

G部——物理

G02

光学

G02F

用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器

G02F1/00

控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学

G02F1/01

对强度、相位、偏振或颜色的控制

G02F1/13

基于液晶的，例如单位液晶显示单元

G02F1/133

构造上的设备；液晶单元的工作；电路装置

G02F1/136

结构上与一半导体层或基片相结合的液晶单元，例如形成集成电路部分的液晶单元

法律状态

2017-06-16 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101727558540
IPC(主分类) : G02F 1/136
专利号 : ZL200820074772X
申请日 : 20080516
授权公告日 : 20090218
终止日期 : 20150516

2017-01-18 ：

专利权的保全及其解除

专利权保全的解除号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101745398414
IPC(主分类) : G02F 1/136
专利号 : ZL200820074772X
申请日 : 20080516
授权公告日 : 20090218
登记生效日 : 无
解除日 : 20161125

2015-07-01 ：

专利权的保全及其解除

专利权的保全号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101717159924
IPC(主分类) : G02F 1/136
专利号 : ZL200820074772X
申请日 : 20080516
授权公告日 : 20090218
登记生效日 : 20150525
解除日 : 无

2011-11-23 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101214306258
IPC(主分类) : G02F 1/136
专利号 : ZL200820074772X
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 天津力伟创科技有限公司
变更后权利人 : 深圳市长江力伟股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 300384 天津市华苑产业园区华天道2号火炬大厦5031室
变更后权利人 : 518000 广东省深圳市福田区车公庙天吉大厦7C1-A
登记生效日 : 20111009

2009-02-18 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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