单闸极非挥发性内存的抹除方法
专利权的终止
摘要
一种单闸极非挥发性内存的抹除方法，该非挥发性内存为具有单浮接闸极结构，进行抹除操作时，是由施加电压于汲极与门极，来产生反层，以降低抹除电压与提升抹除速度，并可防止过度抹除。
基本信息
专利标题 ：
单闸极非挥发性内存的抹除方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1953182A
申请号 ：
CN200510109080.5
公开（公告）日 ：
2007-04-25
申请日 ：
2005-10-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄文谦张浩诚
申请人 ：
亿而得微电子股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹县
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
周长兴
优先权 ：
CN200510109080.5
主分类号 ：
H01L27/105
IPC分类号 ：
H01L27/105
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
法律状态
2021-09-24 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 27/105
申请日 : 20051017
授权公告日 : 20090128
终止日期 : 20201017
申请日 : 20051017
授权公告日 : 20090128
终止日期 : 20201017
2009-01-28 ：
授权
2007-06-13 ：
实质审查的生效
2007-04-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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