电流可抹除可程式只读记忆体元件及其制造方法
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摘要

本发明是有关于一种电流可抹除可程式只读记忆体元件及其制造方法。该电流可抹除可程式只读记忆体的元件,至少包含一浮动闸极电极,该浮动闸极包含一外部边缘部分。其中,该外部边缘部分包含复数电荷转换点的尖锐尖端。该电流可抹除可程式只读记忆体的元件的形成方法,至少包括下列步骤:形成一浮动闸极电极,其中该浮动闸极电极包含一外部边缘部分,该外部边缘部分包含复数电荷转换点的尖锐尖端。本发明可以改善元件的功能、可靠度以及配合记忆体尺寸的缩小所需的制程空间,非常适于实用。

基本信息
专利标题 :
电流可抹除可程式只读记忆体元件及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1905196A
申请号 :
CN200610007677.3
公开(公告)日 :
2007-01-31
申请日 :
2006-02-17
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘源鸿傅士奇罗际兴蔡嘉雄
申请人 :
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 :
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号
代理机构 :
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 :
寿宁
优先权 :
CN200610007677.3
主分类号 :
H01L27/115
IPC分类号 :
H01L27/115  H01L29/788  H01L29/423  H01L21/8247  H01L21/336  H01L21/28  
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IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器;其多步骤制造方法
法律状态
2009-01-21 :
授权
2007-03-28 :
实质审查的生效
2007-01-31 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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