记忆体元件阵列

专利申请权、专利权的转移

摘要

一种记忆体元件阵列包含多条位元线、多条字线及多个晶体管。多条字线与位元线交错且电性绝缘；多个晶体管各包含源/漏极及栅极；各晶体管的源/漏极电性连接位元线的其中一者；栅极电性连接字线的其中一者；晶体管的栅极的至少二者具有不同的长度。在测试记忆体元件阵列时，可以取得更多的记忆体元件数据。

基本信息

专利标题：

记忆体元件阵列

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921900713.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-11-06

授权号：

CN210723029U

授权日：

2020-06-09

发明人：

刘峻志廖昱程邱泓瑜李宜政

申请人：

江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司

申请人地址：

江苏省淮安市淮阴区长江东路601号

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司

代理人：

徐金国

优先权：

CN201921900713.8

主分类号：

H01L27/24

IPC分类号：

H01L27/24 H01L29/423 H01L45/00 G11C13/00

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法律状态

2021-09-28 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 27/24
登记生效日 : 20210915
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京时代全芯存储技术股份有限公司
变更后权利人 : 北京时代全芯存储技术股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100094 北京市海淀区丰豪东路9号院2号楼8层4单元802
变更后权利人 : 100094 北京市海淀区丰豪东路9号院2号楼8层4单元802
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 江苏时代芯存半导体有限公司

2021-09-28 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

IPC(主分类) : H01L 27/24
变更事项 : 专利权人
变更前 : 江苏时代全芯存储科技股份有限公司
变更后 : 北京时代全芯存储技术股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 223300 江苏省淮安市淮阴区长江东路601号
变更后 : 100094 北京市海淀区丰豪东路9号院2号楼8层4单元802
变更事项 : 专利权人
变更前 : 江苏时代芯存半导体有限公司
变更后 : 江苏时代芯存半导体有限公司

2020-06-09 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

CN210723029U.PDF

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