记忆体装置及其操作方法
公开
摘要
揭示一种记忆体装置及其操作方法。记忆体装置包括至少一个参考单元及多个感测放大器。至少一个参考单元具有耦接到一接地的第一端子。感测放大器中的每一个具有第一端子及第二端子。第一端子耦接到多个第一数据接线中的一个，且第二端子耦接到至少一个参考单元的第二端子。
基本信息
专利标题 ：
记忆体装置及其操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114627931A
申请号 ：
CN202110600400.6
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-05-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
野口纮希林谷峰
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202110600400.6
主分类号 ：
G11C13/00
IPC分类号 ：
G11C13/00 G11C7/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C13/00
特征在于使用不包括在G11C11/00，G11C23/00或G11C25/00各组内的存储元件的数字存储器
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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