记忆体辅助热传结构
授权
摘要
本实用新型提供一种记忆体辅助热传结构，与至少一记忆体单元及一水冷组件对应组设，该记忆体辅助热传结构，包含：一本体具有一第一端及一第二端及一中间段，所述中间段具有一受热侧及一接触侧，该受热侧与该记忆体单元上所设的至少一芯片对应设置，所述接触侧与该水冷组件贴合组设，通过本实用新型的结构可减少记忆体单元与水冷组件间的摩擦以及填补间隙降低热阻现象的发生。
基本信息
专利标题 ：
记忆体辅助热传结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020013937.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-03
授权号 ：
CN211238229U
授权日 ：
2020-08-11
发明人 ：
李嵩蔚
申请人 ：
深圳兴奇宏科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区沙井街道辛养社区西部工业园
代理机构 ：
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
李林
优先权 ：
CN202020013937.3
主分类号 ：
H01L23/473
IPC分类号 ：
H01L23/473
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/46
包含有用流动流体传导热的
H01L23/473
通过流动液体的
法律状态
2020-08-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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