一种记忆体阵列及其制造方法，可预防于深介层窗电浆蚀刻时产生电弧，至少包括于基板上的一平行导电线上形成一第一图案组，及在此平行导电线的第一图案组上形成复数个半导体柱并从此延伸，其中一半导体柱至少包括一第一阻障层、一反熔丝层、一二极管及一第二阻障层，其中一电流可通过位于反熔丝层崩溃区上的一二极管。此方法更包括沉积一介电层于复数个半导体柱之间，并在形成复数个半导体柱与介电层沉积步骤后，以电浆蚀刻产生一深介层窗，穿过此介电层及下方层。一实施例中包括一记忆体阵列元件，可在介电层非等向性蚀刻过程中降低电浆电弧，以避免对元件周围的结构产生损害。