记忆体阵列与记忆体系统
公开
摘要
本文揭露的是关于一种记忆体阵列与记忆体系统。在一态样中，记忆体阵列包含：第一记忆体单元组与第二记忆体单元组；第一开关群，其中的每一开关包含连接至第一记忆体单元子集的第一电极的第一电极，以及第二电极；第二开关群，其中的每一开关包含连接至第二记忆体单元子集的第一电极的第一电极，以及第二电极；以及第三开关群，其中的每一开关包含连接至第一全域位元线的第一电极，以及连接至第一开关群的第二电极与第二开关群的第二电极的第二电极。
基本信息
专利标题 ：
记忆体阵列与记忆体系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114550765A
申请号 ：
CN202110209404.1
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
游佳达黄家恩杨世海王奕刘逸青
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202110209404.1
主分类号 ：
G11C7/12
IPC分类号 ：
G11C7/12 G11C7/18 G11C8/08 G11C8/14
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/10
输入/输出数据接口装置，例如：I/O数据控制电路、I/O数据缓冲器
G11C7/12
位线控制电路，例如，用于位线的驱动器、增强器、上拉电路、下拉电路、预充电电路、均衡电路
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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