记忆体元件及其制造方法
授权
摘要
本发明是有关于一种记忆体元件及其制造方法。该记忆体元件形成于绝缘层上有半导体(SOI)结构之上，SOI结构包括一基底、一绝缘层位于基底之上和一半导体层位于绝缘层之上。记忆体元件具有一位于SOI结构的记忆区域的记忆体阵列、复数个第一基底接触位于记忆体元件的周边区域和复数个第二基底接触位于SOI结构的记忆区域，其中第一基底接触和第二基底接触形成于半导体层及介电层内并透出半导体层以电性连结SOI结构的基底。
基本信息
专利标题 ：
记忆体元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1848440A
申请号 ：
CN200610000304.3
公开（公告）日 ：
2006-10-18
申请日 ：
2006-01-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王屏薇
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200610000304.3
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L23/522
相关图片
法律状态
2009-01-07 ：
授权
2006-12-13 ：
实质审查的生效
2006-10-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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