记忆体元件以及增进其记忆保持力的方法以及其稳定方法
授权
摘要
本发明是有关于一种记忆体元件以及增进其记忆保持力的方法以及其稳定方法，该用于稳定一个记忆体元件的方法，包括在记忆体元件的一个电荷捕捉层中捕捉多数个电荷。该电荷捕捉层位于一个晶体管控制闸极和一个晶体管通道区之间。该方法进一步包括施加一个负偏压到晶体管控制闸极上。在另一个实施例中，该方法进一步包括在记忆体元件上执行一烘烤处理。该方法进一步包括在记忆体元件上执行一记忆操作。
基本信息
专利标题 ：
记忆体元件以及增进其记忆保持力的方法以及其稳定方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819206A
申请号 ：
CN200510134325.X
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2005-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
施彦豪吕函庭
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200510134325.X
主分类号 ：
H01L27/105
IPC分类号 ：
H01L27/105 H01L21/8239 G11C11/34
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
法律状态
2010-08-11 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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