非挥发记忆体及其操作方法与制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种非挥发记忆体，以及其操作方法与制造方法。此非挥发记忆体包括具有沟渠的基底、位于沟渠中的电荷捕陷层、位于沟渠中且至少以电荷捕陷层与基底相隔的闸极，以及位于沟渠两侧基底中的源/汲极区。其中，闸极的材质包括p掺杂半导体材料，使得此记忆体特别适合以闸极电洞注入机制进行抹除。
基本信息
专利标题 ：
非挥发记忆体及其操作方法与制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1949535A
申请号 ：
CN200510108385.4
公开（公告）日 ：
2007-04-18
申请日 ：
2005-10-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
余昭伦吴昭谊
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200510108385.4
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/43 H01L27/105 H01L21/336 H01L21/8239
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法律状态
2011-01-05 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101058455626
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利申请号 : 2005101083854
公开日 : 20070418
号牌文件序号 : 101058455626
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利申请号 : 2005101083854
公开日 : 20070418
2007-06-13 ：
实质审查的生效
2007-04-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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