非挥发存储器及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供了一种非挥发存储器，包括设置在半导体基底上的绝缘的浮置栅极、形成在浮置栅极至少一个侧表面上的绝缘的编程栅极、和靠近浮置栅极设置的绝缘的擦除栅极。
基本信息
专利标题 ：
非挥发存储器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1770478A
申请号 ：
CN200510108812.9
公开（公告）日 ：
2006-05-10
申请日 ：
2005-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姜盛泽
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510108812.9
主分类号 ：
H01L29/788
IPC分类号 ：
H01L29/788 H01L27/115 H01L21/336 H01L21/8247
法律状态
2013-11-20 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101542122439
IPC(主分类) : H01L 29/788
专利号 : ZL2005101088129
申请日 : 20050930
授权公告日 : 20091202
终止日期 : 20120930
号牌文件序号 : 101542122439
IPC(主分类) : H01L 29/788
专利号 : ZL2005101088129
申请日 : 20050930
授权公告日 : 20091202
终止日期 : 20120930
2009-12-02 ：
授权
2007-11-28 ：
实质审查的生效
2006-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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