非挥发性存储器及其制造方法
专利权的视为放弃
摘要
一种的非挥发性存储器的制造方法与结构。首先，于基底上形成多条升起式位线，此些升起式位线为平行排列，并往同一方向延伸。接着，于基底上形成一电荷陷入层。然后，再形成多条字线，且此些字线平行设置于升起式位线上，并填满该些升起式位线之间的间隙，此外，该些字线往另一方向延伸，而此方向与升起式位线的方向交错。此非挥发性存储器由于采用升起式位线的设计，因此可避免埋入式位线因热工艺造成的掺杂物热扩散问题。
基本信息
专利标题 ：
非挥发性存储器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1941379A
申请号 ：
CN200510107022.9
公开（公告）日 ：
2007-04-04
申请日 ：
2005-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
魏鸿基毕嘉慧
申请人 ：
力晶半导体股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510107022.9
主分类号 ：
H01L27/105
IPC分类号 ：
H01L27/105 H01L27/115 H01L21/8239 H01L21/8247
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
法律状态
2010-01-27 ：
专利权的视为放弃
2007-05-30 ：
实质审查的生效
2007-04-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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