非挥发性记忆体的操作方法

专利权的终止

摘要

一种非挥发性记忆体的操作方法，其中非挥发性记忆体包括基底、闸极、电荷陷入层、源极区、汲极区，电荷陷入层靠近源极区的一侧为辅助电荷区，电荷陷入层靠近汲极区的一侧为资料储存区，且在进行操作之前预先在辅助电荷区中注入电子。当执行程式化操作时，在闸极施加第一偏压，在源极区施加第二偏压，在汲极区施加第三偏压，在基底施加第四偏压，其中第一偏压大于第四偏压，第三偏压大于第二偏压，且第二偏压大于第四偏压，以产生通道启始二次热电子注入效应将电子注入资料储存区。

基本信息

专利标题：

非挥发性记忆体的操作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1949536A

申请号：

CN200510108386.9

公开（公告）日：

2007-04-18

申请日：

2005-10-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

郭明昌吴昭谊

申请人：

旺宏电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾

代理机构：

北京中原华和知识产权代理有限责任公司

代理人：

寿宁

优先权：

CN200510108386.9

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L27/105 H01L27/115 G11C16/02