记忆胞及其鉴别方法以及记忆体阵列及其检测方法
专利权的终止
摘要
本发明是有关于一种氮化物唯读记忆体元件，包括记忆胞和第一、第二位元线。第一、第二位元线与记忆胞的相对两侧耦接。在抹除操作中，记忆胞的一侧接收正电压，而另一侧与一共通节点或受限电流源耦接。还揭示了一种方法，能够根据记忆胞的临界电压分布容易地鉴别边缘记忆胞。
基本信息
专利标题 ：
记忆胞及其鉴别方法以及记忆体阵列及其检测方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1881470A
申请号 ：
CN200510117374.2
公开（公告）日 ：
2006-12-20
申请日 ：
2005-11-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谢文义林清淳陈耕晖洪俊雄
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200510117374.2
主分类号 ：
G11C16/02
IPC分类号 ：
G11C16/02 H01L27/115 H01L21/8247 H01L29/78
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
法律状态
2021-10-19 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G11C 16/02
申请日 : 20051103
授权公告日 : 20090422
终止日期 : 20201103
申请日 : 20051103
授权公告日 : 20090422
终止日期 : 20201103
2009-04-22 ：
授权
2007-02-14 ：
实质审查的生效
2006-12-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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2、
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