集成电路记忆体及其操作方法
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摘要
一种电荷捕获记忆体元件，其采用场诱发(fieldinduced)的反转层以取代源极和汲极的掺质。电荷捕获记忆体元件包含多个记忆胞，其适用于储存两位元，其中一位元在电荷捕获结构的左侧，而另一位元在电荷捕获结构的右侧。使用负闸极电压FN穿隧将可诱发一正阀限电压擦除状态，以在一正电压下建立一电荷平衡条件。本发明亦提供了低电流、源极侧及热电子注入的编程方法。
基本信息
专利标题 ：
集成电路记忆体及其操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1855510A
申请号 ：
CN200510109155.X
公开（公告）日 ：
2006-11-01
申请日 ：
2005-10-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
龙翔澜
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200510109155.X
主分类号 ：
H01L27/115
IPC分类号 ：
H01L27/115 H01L29/78 G11C16/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
法律状态
2010-09-08 ：
授权
2006-12-27 ：
实质审查的生效
2006-11-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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