具有低程式化电流的相变记忆体
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摘要
本发明是有关于一种具有低程式化电流的相变记忆体，此相变记忆体包括一位于介电层中的导电极、一位于导电极上的下电极层、一位于下电极层上的相变材质层以及一位于相变材质层上的上电极层。此相变记忆体可另包括一介于相变材质层及上电极层之间的散热层。上电极层及下电极层的电阻率大于相变材质层于结晶状态下的电阻率为较佳。本发明降低了所需要的程式化的电流。其次是下电极层的上表面积与导电电极的上表面面积的比值较高，可有效减少下电极层与相变材质之间的合金化现象。再者，利用举离的制程技术以及堆叠结构的设计而能减少所需要的罩幕数量。
基本信息
专利标题 ：
具有低程式化电流的相变记忆体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1953228A
申请号 ：
CN200610059584.5
公开（公告）日 ：
2007-04-25
申请日 ：
2006-03-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赖理学邓端理林文钦游腾健蔡蕙芳王成翔王式禹
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司;铼德科技股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200610059584.5
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 H01L27/24
法律状态
2009-03-18 ：
授权
2007-06-13 ：
实质审查的生效
2007-04-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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