反熔丝及其程式化方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种反熔丝，由衬底、栅极及栅介电层构成。栅极位于衬底上。栅介电层位于栅极及衬底之间。此反熔丝的程式化方法是施加一偏压于栅极与衬底之间，造成栅介电层击穿，使击穿后的栅极至衬底的电阻值小于击穿前的栅极至衬底的电阻值。应用此反熔丝可以减少熔丝需要的芯片面积，并可以在芯片封装后进行程式化。
基本信息
专利标题 ：
反熔丝及其程式化方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101043027A
申请号 ：
CN200610068023.1
公开（公告）日 ：
2007-09-26
申请日 ：
2006-03-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴炳昌
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610068023.1
主分类号 ：
H01L23/525
IPC分类号 ：
H01L23/525 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/525
具有可适用互连装置的
法律状态
2009-09-23 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-11-21 ：
实质审查的生效
2007-09-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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