只读存储器
授权
摘要

本发明公开了一种只读存储器,其结构包含多条往第一方向延伸的位线、多条与该位线平行的来源线、以及多条往与第一方向垂直的第二方向延伸的字符线,其中每两个存储器单元共用一个主动区域并经由一共同的来源线接触结构电耦接至其中一来源线。

基本信息
专利标题 :
只读存储器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN109390021A
申请号 :
CN201710654873.8
公开(公告)日 :
2019-02-26
申请日 :
2017-08-03
授权号 :
CN109390021B
授权日 :
2022-05-03
发明人 :
吕鑫邦许齐修郑仲皓莫亚楠蔡忠政
申请人 :
联华电子股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾新竹市
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
陈小雯
优先权 :
CN201710654873.8
主分类号 :
G11C17/12
IPC分类号 :
G11C17/12  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C17/00
只可一次编程的只读存储器;半永久存储器,例如:可手动更换的信息卡
G11C17/08
应用半导体器件的,例如,双极性元件
G11C17/10
在制造过程中用耦合元件的预定排列确定其存储内容的,例如掩膜式可编程序的ROM
G11C17/12
应用场效应器件的
法律状态
2022-05-03 :
授权
2019-09-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 17/12
申请日 : 20170803
2019-02-26 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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