本实用新型是一种快闪型电子可程式唯读记忆体调整电路架构，其包括有若干阻抗；若干双闸极金属氧化半导场效应管，用以连接控制若干阻抗是否连接于应用电路中，将双闸极金属氧化半导场效应管的漏极和栅极加上高电位，利用浮置栅极来吸引电子，同时将源极接地或接至低电位，以形成该双闸极金属氧化半导场效应管开路状态，反之，将双闸极金属氧化半导场效应管的源极加上高电位，同时将漏极和栅极接地或接至低电位，并利用电子往正电位特性把浮置栅极内的电子吸出而达到双闸极金氧半导场效应管短路状态。