溅射装置和成膜方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种溅射装置，围绕旋转轴线使圆盘状衬底旋转的同时，对该衬底的衬底表面进行成膜处理，其特征在于，该装置包括，腔室；台子，以所述旋转轴线为中心使该衬底旋转；溅射阴极，其具有与所述衬底对置的阴极表面；其中，当从所述旋转轴线到所述衬底的外周边缘部的距离为R，从所述旋转轴线到所述阴极表面的中心点的距离为OF，从所述衬底表面到所述阴极表面的中心点的高度为TS时，大概满足R∶OF∶TS＝100∶175∶190±20的关系，同时，所述旋转轴线与通过所述阴极表面的中心点的法线交叉，其交叉角度满足22°±2°的关系。
基本信息
专利标题 ：
溅射装置和成膜方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101098980A
申请号 ：
CN200680001790.9
公开（公告）日 ：
2008-01-02
申请日 ：
2006-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
菊地幸男森田正
申请人 ：
株式会社爱发科
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
北京德琦知识产权代理有限公司
代理人 ：
陆弋
优先权 ：
CN200680001790.9
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 C23C14/06 H01F41/18 H01L21/8246 H01L27/105 H01L43/08 H01L43/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2011-03-23 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101075876055
IPC(主分类) : C23C 14/34
专利申请号 : 2006800017909
公开日 : 20080102
号牌文件序号 : 101075876055
IPC(主分类) : C23C 14/34
专利申请号 : 2006800017909
公开日 : 20080102
2008-02-27 ：
实质审查的生效
2008-01-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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