等离子体溅射成膜方法和成膜装置
专利权的终止
摘要
本发明提供一种利用等离子体使金属靶(56)离子化，产生金属离子，利用偏置电力将金属离子引入到在处理容器内的载置台(20)上载置的被处理体(S)，使金属膜(74)沉积在形成有凹部(2)的被处理体上以填充凹部的方法。设定偏置电力，使得在被处理体表面，因金属离子的引入而产生的金属沉积速率和等离子体溅射蚀刻的蚀刻速率大致均衡。由此，能够向被处理体的凹部填充金属，而不会产生空隙等缺陷。
基本信息
专利标题 ：
等离子体溅射成膜方法和成膜装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101044259A
申请号 ：
CN200580035907.0
公开（公告）日 ：
2007-09-26
申请日 ：
2005-10-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
铃木健二池田太郎波多野达夫水泽宁
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200580035907.0
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 H01L21/3205 C23C14/14 H01L23/52 H01L21/285
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2014-12-10 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101591312395
IPC(主分类) : C23C 14/34
专利号 : ZL2005800359070
申请日 : 20051018
授权公告日 : 20100707
终止日期 : 20131018
号牌文件序号 : 101591312395
IPC(主分类) : C23C 14/34
专利号 : ZL2005800359070
申请日 : 20051018
授权公告日 : 20100707
终止日期 : 20131018
2010-07-07 ：
授权
2007-11-21 ：
实质审查的生效
2007-09-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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